接触孔制备过程中光阻的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110257482.5

申请日：

2011-09-01

公开(公告)号：

CN102290371A

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

包德君黄庆丰孙凌王俊杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701179081 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102574825 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140430
2017-05-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件序号:101752383991 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102574825 申请公布日:20111221 号牌文件类型代码:1602
2011-12-21	公开	公开
2014-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582460951 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102574825 申请日:20110901

共 50 条

[1]

半导体器件制备过程中光阻的去除方法 [P].

胡学清 ;

倪红松 ;

孙贤波 .

中国专利 :CN102254810A ,2011-11-23

[2]

光阻去除方法 [P].

尹晓明 ;

孙武 ;

张海洋 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102135734B ,2011-07-27

[3]

光阻去除方法 [P].

孙武 .

中国专利 :CN102135733A ,2011-07-27

[4]

半导体器件中接触孔的制备方法 [P].

陈福成 .

中国专利 :CN101740466B ,2010-06-16

[5]

接触孔的形成方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102087992A ,2011-06-08

[6]

双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法 [P].

王荣 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN101202244B ,2008-06-18

[7]

形成接触孔的方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN101459119B ,2009-06-17

[8]

形成接触孔的方法 [P].

邹立 ;

罗飞 .

中国专利 :CN102054745A ,2011-05-11

[9]

半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法 [P].

张永福 .

中国专利 :CN102243999A ,2011-11-16

[10]

应用于半导体器件制备过程中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN120933152A ,2025-11-11

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