应用于半导体器件制备过程中的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511055372.9

申请日：

2025-07-29

公开(公告)号：

CN120933152A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

刘莎莎徐丰黄鹏王函

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

C23C16/34 C23C16/455 C23C16/50

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250729

共 50 条

[1]

应用于半导体器件制作过程中的工艺方法 [P].

张小龙 ;

朱荣峰 ;

刘张李 .

中国专利 :CN120936099A ,2025-11-11

[2]

应用于半导体器件制造中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

郭振强 .

中国专利 :CN120302708A ,2025-07-11

[3]

应用于存储器件制作过程中的工艺方法 [P].

薛立平 ;

段松汉 ;

杜怡行 ;

王壮壮 ;

刘勃彤 ;

王虎 ;

王辉 ;

顾林 .

中国专利 :CN120812942A ,2025-10-17

[4]

金属团簇及其在半导体器件制备过程中图案化工艺中的应用、半导体器件的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120699056A ,2025-09-26

[5]

应用于半导体制作中的工艺方法 [P].

何正临 ;

黄鹏 ;

郭振强 ;

肖敬才 .

中国专利 :CN121149085A ,2025-12-16

[6]

半导体器件制造过程中的构图方法 [P].

伊藤胜志 .

中国专利 :CN1236973A ,1999-12-01

[7]

半导体器件制备过程中光阻的去除方法 [P].

胡学清 ;

倪红松 ;

孙贤波 .

中国专利 :CN102254810A ,2011-11-23

[8]

半导体器件制备过程中的加载互锁装置 [P].

王喆 ;

赵洪涛 ;

瞿锋 ;

张杰 ;

朱义党 .

中国专利 :CN102254849A ,2011-11-23

[9]

半导体器件制造过程中的工艺控制方法及系统 [P].

刘立 ;

余志贤 .

中国专利 :CN105094069A ,2015-11-25

[10]

应用于闪存器件制作中的工艺方法 [P].

王会一 ;

梁兴游 ;

周海洋 ;

张博宇 ;

潘正灿 .

中国专利 :CN121126783A ,2025-12-12

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