应用于半导体器件制作过程中的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511049893.3

申请日：

2025-07-29

公开(公告)号：

CN120936099A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

张小龙朱荣峰刘张李

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D86/01

IPC分类号：

H10D86/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20250729

共 50 条

[1]

应用于存储器件制作过程中的工艺方法 [P].

薛立平 ;

段松汉 ;

杜怡行 ;

王壮壮 ;

刘勃彤 ;

王虎 ;

王辉 ;

顾林 .

中国专利 :CN120812942A ,2025-10-17

[2]

应用于半导体器件制备过程中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN120933152A ,2025-11-11

[3]

应用于半导体器件制造中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

郭振强 .

中国专利 :CN120302708A ,2025-07-11

[4]

应用于半导体制作中的工艺方法 [P].

何正临 ;

黄鹏 ;

郭振强 ;

肖敬才 .

中国专利 :CN121149085A ,2025-12-16

[5]

集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件 [P].

周隽雄 ;

陈岚 ;

阮文彪 ;

李志刚 ;

王强 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN102222643A ,2011-10-19

[6]

应用于闪存器件制作中的工艺方法 [P].

王会一 ;

梁兴游 ;

周海洋 ;

张博宇 ;

潘正灿 .

中国专利 :CN121126783A ,2025-12-12

[7]

半导体器件制造过程中的构图方法 [P].

伊藤胜志 .

中国专利 :CN1236973A ,1999-12-01

[8]

解决半导体器件在制作过程中放电缺陷的方法及结构 [P].

叶菁 .

中国专利 :CN102110638A ,2011-06-29

[9]

半导体器件制造过程中的工艺控制方法及系统 [P].

刘立 ;

余志贤 .

中国专利 :CN105094069A ,2015-11-25

[10]

半导体器件的工艺方法和半导体器件 [P].

朱琨 ;

李大川 ;

张明月 ;

焦圣杰 .

中国专利 :CN120690664A ,2025-09-23

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