应用于半导体器件制造中的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510379395.9

申请日：

2025-03-28

公开(公告)号：

CN120302708A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

刘莎莎郭振强

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/85

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250328

共 50 条

[1]

应用于半导体制造后段制程中的工艺方法 [P].

郭海亮 ;

赵志 ;

侯冰霞 ;

张称 ;

袁巍 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN120473436A ,2025-08-12

[2]

应用于半导体器件制备过程中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN120933152A ,2025-11-11

[3]

用于闪存器件制造中的工艺方法 [P].

李番番 ;

李涛 ;

那子玉 ;

杨德明 ;

张广冰 ;

杜明锋 ;

赵正元 .

中国专利 :CN120500044A ,2025-08-15

[4]

应用于闪存器件制作中的工艺方法 [P].

王会一 ;

梁兴游 ;

周海洋 ;

张博宇 ;

潘正灿 .

中国专利 :CN121126783A ,2025-12-12

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1447420A ,2003-10-08

[7]

用于制造半导体器件的方法 [P].

南基元 ;

李京远 .

中国专利 :CN1877815A ,2006-12-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

田炅烨 .

中国专利 :CN108288648A ,2018-07-17

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

赵挥元 ;

洪承希 ;

金奭中 ;

郑哲谟 .

中国专利 :CN101097887A ,2008-01-02

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

张翼英 ;

何其旸 .

中国专利 :CN102810481A ,2012-12-05

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