半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110147175.1

申请日：

2011-06-02

公开(公告)号：

CN102810481A

公开(公告)日：

2012-12-05

发明(设计)人：

张翼英何其旸

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21306 H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

邹姗姗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2012-12-05	公开	公开
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101388119461 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101471751 申请日:20110602

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102810482A ,2012-12-05

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

韦庆松 ;

何永根 ;

刘焕新 ;

刘佳磊 ;

李超伟 .

中国专利 :CN102881592B ,2013-01-16

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

韦庆松 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

何永根 .

中国专利 :CN102881591B ,2013-01-16

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

张翼英 ;

何其旸 .

中国专利 :CN102810480A ,2012-12-05

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120358761A ,2025-07-22

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

明台勋 ;

郑载勋 ;

金锡勋 ;

益冈有里 ;

洪秀宪 ;

金旻怡 ;

申宇胜 ;

李尚炫 ;

郑东灿 .

韩国专利 :CN120076398A ,2025-05-30

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

雅各布·泰施里布 ;

法尔克-乌尔里希·施泰因 ;

奥尔里克·舒马赫 .

:CN119767743A ,2025-04-04

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

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