半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110197911.4

申请日：

2011-07-15

公开(公告)号：

CN102881592B

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

韦庆松何永根刘焕新刘佳磊李超伟

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	授权	授权
2013-01-16	公开	公开
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401519950 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101979114 申请日:20110715

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

韦庆松 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

何永根 .

中国专利 :CN102881591B ,2013-01-16

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

张翼英 ;

何其旸 .

中国专利 :CN102810481A ,2012-12-05

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101197290A ,2008-06-11

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120358761A ,2025-07-22

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

明台勋 ;

郑载勋 ;

金锡勋 ;

益冈有里 ;

洪秀宪 ;

金旻怡 ;

申宇胜 ;

李尚炫 ;

郑东灿 .

韩国专利 :CN120076398A ,2025-05-30

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

雅各布·泰施里布 ;

法尔克-乌尔里希·施泰因 ;

奥尔里克·舒马赫 .

:CN119767743A ,2025-04-04

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

朴哲焕 ;

禹相浩 ;

宋昌录 ;

朴东洙 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1319151C ,2005-05-04

← 1 2 3 4 5 →