集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110172941.X

申请日：

2011-06-24

公开(公告)号：

CN102222643A

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

周隽雄陈岚阮文彪李志刚王强叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21321 H01L23522

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	授权	授权
2011-10-19	公开	公开
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145714543 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201110172941X 申请日:20110624

共 50 条

[1]

集成电路版图冗余金属填充的方法及集成电路 [P].

杨飞 ;

陈岚 ;

阮文彪 ;

李志刚 ;

胡超 ;

马天宇 .

中国专利 :CN102385656A ,2012-03-21

[2]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

胡志朋 .

中国专利 :CN111562688B ,2020-08-21

[3]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

何来胜 .

中国专利 :CN111562687A ,2020-08-21

[4]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

韩建忠 ;

金里 .

中国专利 :CN111596473B ,2020-08-28

[5]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

金里 .

中国专利 :CN111580289A ,2020-08-25

[6]

集成电路版图中冗余金属的填充方法 [P].

杨飞 ;

陈岚 ;

阮文彪 ;

李志刚 ;

王强 ;

周隽雄 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN102456080A ,2012-05-16

[7]

集成电路半导体器件和制造集成电路半导体器件的方法 [P].

朴镇成 ;

金台原 ;

高志呟 ;

金东奎 ;

金俞琳 ;

李昇嬉 ;

张胜愚 ;

赵泰雄 ;

卓容奭 .

韩国专利 :CN120614812A ,2025-09-09

[8]

半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法 [P].

杉山雅夫 ;

金子义之 ;

近藤由宪 ;

平泽贤齐 .

中国专利 :CN101714525A ,2010-05-26

[9]

半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法 [P].

加藤清 .

中国专利 :CN1697187B ,2005-11-16

[10]

半导体器件、集成电路及半导体器件的制造方法 [P].

A·梅瑟 ;

T·施勒塞尔 ;

T·迈尔 .

中国专利 :CN104465767B ,2015-03-25

← 1 2 3 4 5 →