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制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010440453.1
申请日：
2020-05-22
公开(公告)号：
CN111562688B
公开(公告)日：
2020-08-21
发明(设计)人：
朱继光
胡志朋
申请人：
申请人地址：
401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
IPC主分类号：
G02F1035
IPC分类号：
代理机构：
北京市汉坤律师事务所 11602
代理人：
初媛媛;吴丽丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/035 申请日:20200522 |
| 2020-08-21 | 公开 | 公开 |
| 2023-01-06 | 授权 | 授权 |