半导体集成电路和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910226057.2
申请日
2008-07-11
公开(公告)号
CN101714128A
公开(公告)日
2010-05-26
发明(设计)人
野野村到 佐圆真 长田健一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G06F1340
IPC分类号
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体集成电路和半导体器件 [P]. 
野野村到 ;
佐圆真 ;
长田健一 .
中国专利 :CN101355080B ,2009-01-28
[2]
半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
佐圆真 ;
长田健一 ;
小松成亘 ;
野野村到 ;
岛崎靖久 .
中国专利 :CN101546758B ,2009-09-30
[3]
半导体集成电路和半导体器件 [P]. 
桧谷光春 ;
长泽俊夫 ;
田村晃洋 .
中国专利 :CN1773726A ,2006-05-17
[4]
半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
田中佑二 .
中国专利 :CN101615604A ,2009-12-30
[5]
半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法 [P]. 
加藤清 .
中国专利 :CN1697187B ,2005-11-16
[6]
半导体集成电路和包括该半导体集成电路的半导体器件 [P]. 
成田幸辉 .
中国专利 :CN107968087A ,2018-04-27
[7]
制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
朱继光 ;
胡志朋 .
中国专利 :CN111562688B ,2020-08-21
[8]
制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
朱继光 ;
何来胜 .
中国专利 :CN111562687A ,2020-08-21
[9]
制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
朱继光 ;
韩建忠 ;
金里 .
中国专利 :CN111596473B ,2020-08-28
[10]
制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P]. 
朱继光 ;
金里 .
中国专利 :CN111580289A ,2020-08-25