解决半导体器件在制作过程中放电缺陷的方法及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910200986.6

申请日：

2009-12-23

公开(公告)号：

CN102110638A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

叶菁

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	授权	授权
2020-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20091223 授权公告日:20130306 终止日期:20191223
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096115987 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102009866 申请日:20091223
2011-06-29	公开	公开
2013-01-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101491606213 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102009866 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121203

共 50 条

[1]

应用于半导体器件制作过程中的工艺方法 [P].

张小龙 ;

朱荣峰 ;

刘张李 .

中国专利 :CN120936099A ,2025-11-11

[2]

集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件 [P].

周隽雄 ;

陈岚 ;

阮文彪 ;

李志刚 ;

王强 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN102222643A ,2011-10-19

[3]

在制造半导体器件过程中清洗半导体晶片的镶嵌结构的方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1296973C ,2003-10-29

[4]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张金霜 ;

李绍斌 ;

杨芸 .

中国专利 :CN105575799B ,2016-05-11

[5]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

贺吉伟 ;

王刚宁 ;

朱岩岩 ;

刘丽 ;

冯喆韻 ;

蒲贤勇 ;

孙涛 .

中国专利 :CN105336681A ,2016-02-17

[6]

半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

杨冬 ;

顾子琨 ;

苏奕哲 ;

谢明达 ;

白雅桀 .

中国专利 :CN119384881A ,2025-01-28

[7]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

蒲月皎 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105261557A ,2016-01-20

[8]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

肖梦 ;

刘隆冬 ;

吴建中 ;

长江 .

中国专利 :CN114005837A ,2022-02-01

[9]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李思晢 .

中国专利 :CN112310105B ,2021-02-02

[10]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李劲昊 .

中国专利 :CN114446881A ,2022-05-06

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