半导体器件制备过程中光阻的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110187080.2

申请日：

2011-07-05

公开(公告)号：

CN102254810A

公开(公告)日：

2011-11-23

发明(设计)人：

胡学清倪红松孙贤波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582417216 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2011101870802 申请日:20110705
2011-11-23	公开	公开
2017-07-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756283088 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2011101870802 申请公布日:20111123
2014-05-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701143036 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2011101870802 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140430

共 50 条

[1]

接触孔制备过程中光阻的去除方法 [P].

包德君 ;

黄庆丰 ;

孙凌 ;

王俊杰 .

中国专利 :CN102290371A ,2011-12-21

[2]

光阻的去除方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李敏 .

中国专利 :CN105448670A ,2016-03-30

[3]

半导体器件制造过程中的构图方法 [P].

伊藤胜志 .

中国专利 :CN1236973A ,1999-12-01

[4]

半导体器件制备过程中的加载互锁装置 [P].

王喆 ;

赵洪涛 ;

瞿锋 ;

张杰 ;

朱义党 .

中国专利 :CN102254849A ,2011-11-23

[5]

金属团簇及其在半导体器件制备过程中图案化工艺中的应用、半导体器件的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120699056A ,2025-09-26

[6]

应用于半导体器件制备过程中的工艺方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN120933152A ,2025-11-11

[7]

半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法 [P].

张永福 .

中国专利 :CN102243999A ,2011-11-16

[8]

半导体器件、制备半导体器件的方法 [P].

禹国宾 ;

何永根 .

中国专利 :CN105826376B ,2016-08-03

[9]

在制造半导体器件过程中去除残留物的方法 [P].

巫俊昌 ;

陈俊璋 ;

吴权陵 ;

莫忘本 ;

谢弘璋 .

中国专利 :CN103390540A ,2013-11-13

[10]

在制造半导体器件过程中清洗半导体晶片的镶嵌结构的方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1296973C ,2003-10-29

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