半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110176487.5

申请日：

2011-06-28

公开(公告)号：

CN102243999A

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

张永福

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747366271 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011101764875 申请公布日:20111116
2014-05-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701126554 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011101764875 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140429
2011-11-16	公开	公开
2014-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582416557 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011101764875 申请日:20110628

共 50 条

[1]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[2]

氮化硅波导及其制备方法和半导体器件 [P].

杜晓阳 ;

汪巍 ;

涂芝娟 ;

王白银 ;

陈旭 .

中国专利 :CN118033818A ,2024-05-14

[3]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520A ,2024-05-03

[4]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520B ,2024-06-21

[5]

形成双应力氮化硅层的方法及半导体器件 [P].

张瑜 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN118263108A ,2024-06-28

[6]

制备氮化硅叠层的方法 [P].

R·苏亚纳哈亚南·耶尔 ;

萨恩吉夫·唐顿 ;

康湛·张 ;

鲁比·拉伯那 ;

前田裕二 .

中国专利 :CN1962934B ,2007-05-16

[7]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

[8]

处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法 [P].

V·C·韦内齐亚 ;

F·N·库贝尼斯 .

中国专利 :CN1612306A ,2005-05-04

[9]

氮化硅膜和半导体器件的制造方法 [P].

刘建强 ;

刘金涛 ;

闫峰 ;

侯文荣 .

中国专利 :CN110120343A ,2019-08-13

[10]

深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法 [P].

陈东强 ;

黄志刚 ;

寿晓懂 ;

陈威 ;

梁海慧 ;

蔡亮 .

中国专利 :CN103137466A ,2013-06-05

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