深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110377092.1

申请日：

2011-11-23

公开(公告)号：

CN103137466A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

陈东强黄志刚寿晓懂陈威梁海慧蔡亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486725170 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103770921 申请日:20111123
2016-04-13	授权	授权
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101690942092 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103770921 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140115

共 50 条

[1]

浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法 [P].

仇圣棻 .

中国专利 :CN103187258A ,2013-07-03

[2]

去除硅片背面氮化硅膜的方法 [P].

刘须电 ;

荣毅 ;

仓凌盛 ;

王明琪 .

中国专利 :CN101118855A ,2008-02-06

[3]

半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法 [P].

张永福 .

中国专利 :CN102243999A ,2011-11-16

[4]

氮化硅制造方法 [P].

王桂磊 ;

秦长亮 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN103839800A ,2014-06-04

[5]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

[6]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[7]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[8]

用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法 [P].

葛智逵 ;

李翊嘉 ;

刘文达 .

中国专利 :CN113557287A ,2021-10-26

[9]

在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻组合物和方法 [P].

葛智逵 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

吴爱萍 ;

孙来生 .

中国专利 :CN114466852A ,2022-05-10

[10]

在衬底沟槽中沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

A·努尔希达亚蒂 ;

M·阿雷德鲁斯 ;

A·塞蒂亚迪 .

:CN120649008A ,2025-09-16

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