双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610147322.4

申请日：

2006-12-15

公开(公告)号：

CN101202244B

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

王荣王琪宁先捷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

G03F736

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-18	公开	公开
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101254721621 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006101473224 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111121
2010-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻胶的去除方法和制造镶嵌结构的方法 [P].

邹晓东 .

中国专利 :CN101329519A ,2008-12-24

[2]

光刻胶和光刻胶图形的优化方法 [P].

林益世 ;

黄宜斌 .

中国专利 :CN102262357A ,2011-11-30

[3]

双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光刻胶的方法 [P].

吴至宁 ;

连文良 ;

李忠儒 ;

李美龄 .

中国专利 :CN1299349C ,2005-11-02

[4]

重新形成光刻胶图形的方法 [P].

尹晓明 ;

孙武 ;

韩宝东 ;

符雅丽 .

中国专利 :CN102445838A ,2012-05-09

[5]

去除光刻胶残留的方法 [P].

韩秋华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101587833A ,2009-11-25

[6]

光刻胶的去除方法 [P].

李俊良 .

中国专利 :CN102768476A ,2012-11-07

[7]

光刻胶的去除方法 [P].

杨峰 ;

谭宗良 .

中国专利 :CN102082089A ,2011-06-01

[8]

光刻胶的去除方法 [P].

高腾飞 ;

荆泉 ;

孙建 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102968003A ,2013-03-13

[9]

光刻胶的去除方法 [P].

王兆祥 ;

杜若昕 ;

杨平 ;

刘志强 .

中国专利 :CN102610511A ,2012-07-25

[10]

光刻胶的去除方法 [P].

肖玉洁 ;

朱旋 ;

谢宝强 ;

杨兆宇 .

中国专利 :CN102073227A ,2011-05-25

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