半导体器件中接触孔的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043954.5

申请日：

2008-11-20

公开(公告)号：

CN101740466B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

陈福成

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005265854 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008100439545 申请日:20081120
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684694927 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2008100439545 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2011-11-02	授权	授权
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件接触孔的制备方法 [P].

李庆瑞 ;

黄家明 ;

田洪涛 ;

张浩翔 ;

罗烨栋 .

中国专利 :CN118983274A ,2024-11-19

[2]

半导体器件中孔、半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

夏军 ;

刘涛 ;

宛强 ;

姜正秀 ;

占康澍 ;

李森 .

中国专利 :CN113707659A ,2021-11-26

[3]

半导体器件中接触孔的制作方法及半导体器件 [P].

徐朋辉 ;

吴公一 .

中国专利 :CN112750754B ,2021-05-04

[4]

半导体器件中的接触件结构 [P].

林秉顺 ;

程仲良 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN114649265A ,2022-06-21

[5]

制作半导体器件中的接触孔的方法 [P].

朱磊 ;

马德敬 ;

朱娜 ;

孙俊菊 .

中国专利 :CN102054743B ,2011-05-11

[6]

管理半导体器件中的接触结构 [P].

张中 ;

杨永刚 ;

陈阳 ;

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN121128333A ,2025-12-12

[7]

具有精细接触孔的半导体器件的制造方法 [P].

权城铉 ;

沈载煌 ;

郭东华 ;

金周泳 .

中国专利 :CN101174579B ,2008-05-07

[8]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

朴赞光 ;

高尧焕 ;

黄圣敏 .

中国专利 :CN1129851A ,1996-08-28

[9]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李相晤 ;

李圣权 ;

宣俊劦 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102263057A ,2011-11-30

[10]

半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件 [P].

刘智龙 ;

李大烨 ;

金一球 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114628315A ,2022-06-14

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