在半导体器件中形成接触孔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95116843.6

申请日：

1995-09-26

公开(公告)号：

CN1129851A

公开(公告)日：

1996-08-28

发明(设计)人：

朴赞光高尧焕黄圣敏

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川郡

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市中原信达知识产权代理公司

代理人：

余朦

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-08-28	公开	公开
1996-07-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2008-11-26	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2000-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李相晤 ;

李圣权 ;

宣俊劦 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102263057A ,2011-11-30

[2]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

黄昌渊 ;

李东德 ;

崔益寿 ;

李洪求 .

中国专利 :CN1885502A ,2006-12-27

[3]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李敏硕 ;

李圣权 .

中国专利 :CN1885503A ,2006-12-27

[4]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

黄昌渊 ;

崔奉浩 ;

金正根 .

中国专利 :CN100514595C ,2005-07-20

[5]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

曹祥薰 ;

李相晤 .

中国专利 :CN101378034A ,2009-03-04

[6]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[7]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[8]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

朴祥均 .

中国专利 :CN1148260A ,1997-04-23

[9]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1116362A ,1996-02-07

[10]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

咸泳穆 .

中国专利 :CN1036814C ,1995-09-20

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