在半导体器件中形成接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410081892.9

申请日：

2004-12-31

公开(公告)号：

CN100514595C

公开(公告)日：

2005-07-20

发明(设计)人：

黄昌渊崔奉浩金正根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-07-20	公开	公开
2009-07-15	授权	授权
2015-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599919478 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2004100818929 申请日:20041231 授权公告日:20090715 终止日期:20131231
2005-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

曹祥薰 ;

李相晤 .

中国专利 :CN101378034A ,2009-03-04

[2]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

柳春根 .

中国专利 :CN100372096C ,2006-05-03

[3]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[4]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

朴赞光 ;

高尧焕 ;

黄圣敏 .

中国专利 :CN1129851A ,1996-08-28

[5]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[6]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李相晤 ;

李圣权 ;

宣俊劦 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102263057A ,2011-11-30

[7]

半导体器件中接触的形成方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141500A ,1997-01-29

[8]

在半导体器件中形成图形的方法 [P].

张翼英 ;

陈卓凡 .

中国专利 :CN107403719A ,2017-11-28

[9]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

郑又硕 .

中国专利 :CN100338736C ,2003-10-15

[10]

在半导体器件中形成自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

郑弘植 ;

李宰求 ;

姜昌珍 ;

郑相燮 ;

郑澈 ;

郑灿旭 .

中国专利 :CN1222753A ,1999-07-14

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