在半导体器件中形成接触插塞的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03101730.4

申请日：

2003-01-21

公开(公告)号：

CN100338736C

公开(公告)日：

2003-10-15

发明(设计)人：

郑又硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768 H01L2130

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-15	公开	公开
2012-07-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101413727317 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL031017304 变更事项:专利权人变更前权利人:海力士半导体有限公司变更后权利人:658868新不伦瑞克股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:加拿大新不伦瑞克省登记生效日:20120612
2007-09-19	授权	授权
2014-11-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101707542984 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL031017304 变更事项:专利权人变更前:658868新不伦瑞克股份有限公司变更后:考文森智财N.B.868公司变更事项:地址变更前:加拿大新不伦瑞克省变更后:加拿大新不伦瑞克省
2017-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101707181880 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL031017304 申请日:20030121 授权公告日:20070919 终止日期:20160121
2004-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

朴信胜 .

中国专利 :CN1873945A ,2006-12-06

[2]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[3]

形成半导体器件的接触插塞的方法 [P].

李锡奎 ;

安台恒 ;

朴圣彦 ;

赵俊熙 ;

金一旭 .

中国专利 :CN1691308A ,2005-11-02

[4]

在半导体器件中形成着落塞接触的方法 [P].

崔益寿 ;

黄琩渊 ;

李洪求 .

中国专利 :CN1797738A ,2006-07-05

[5]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

黄昌渊 ;

崔奉浩 ;

金正根 .

中国专利 :CN100514595C ,2005-07-20

[6]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

曹祥薰 ;

李相晤 .

中国专利 :CN101378034A ,2009-03-04

[7]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[8]

接触插塞及半导体器件的形成方法 [P].

徐杰 ;

李志国 ;

黄冲 .

中国专利 :CN108428691B ,2018-08-21

[9]

形成半导体器件接触塞的方法 [P].

裴大录 ;

朴宣厚 ;

高光万 .

中国专利 :CN1042473C ,1994-08-31

[10]

形成半导体器件接触塞的方法 [P].

崔奉浩 ;

崔益寿 .

中国专利 :CN1707771A ,2005-12-14

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