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形成半导体器件接触塞的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN93119872.0
申请日：
1993-12-17
公开(公告)号：
CN1042473C
公开(公告)日：
1994-08-31
发明(设计)人：
裴大录 朴宣厚 高光万
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L21285
IPC分类号：
H01L21768
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：
王以平
法律状态：
实质审查请求的生效
国省代码：
引用
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1996-04-10 实质审查请求的生效 实质审查请求的生效
1999-03-10 授权 授权
1994-08-31 公开 公开
2010-02-17 专利权的终止(未缴年费专利权终止) 专利权的终止(未缴年费专利权终止)
共 50 条
[1]
形成半导体器件接触塞的方法 [P]. 
崔奉浩 ;
崔益寿 .
中国专利 :CN1707771A ,2005-12-14
[2]
形成半导体器件接触塞的方法 [P]. 
尹普彦 ;
丁寅权 ;
李元成 .
中国专利 :CN1127123C ,1998-12-30
[3]
形成半导体器件的接触塞的方法 [P]. 
玄灿顺 .
中国专利 :CN101383323A ,2009-03-11
[4]
形成半导体器件的接触插塞的方法 [P]. 
李锡奎 ;
安台恒 ;
朴圣彦 ;
赵俊熙 ;
金一旭 .
中国专利 :CN1691308A ,2005-11-02
[5]
在半导体器件中形成接触塞的方法 [P]. 
尹普彦 ;
丁寅权 .
中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17
[6]
在半导体器件中形成着落塞接触的方法 [P]. 
崔益寿 ;
黄琩渊 ;
李洪求 .
中国专利 :CN1797738A ,2006-07-05
[7]
在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P]. 
郑又硕 .
中国专利 :CN100338736C ,2003-10-15
[8]
在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P]. 
朴信胜 .
中国专利 :CN1873945A ,2006-12-06
[9]
形成半导体器件接触的方法 [P]. 
金亨涣 .
中国专利 :CN1290176C ,2005-04-27
[10]
形成半导体器件接触的方法 [P]. 
金承范 .
中国专利 :CN1649095A ,2005-08-03
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