形成半导体器件接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410061949.9

申请日：

2004-06-29

公开(公告)号：

CN1290176C

公开(公告)日：

2005-04-27

发明(设计)人：

金亨涣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218242 C09K314 H01L2131 H01L213105

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101742898669 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL2004100619499 申请日:20040629 授权公告日:20061213 终止日期:20160629
2006-12-13	授权	授权
2005-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[3]

形成半导体器件的接触塞的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN101383323A ,2009-03-11

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103295953A ,2013-09-11

[5]

形成半导体器件微细接触的方法 [P].

柳义奎 .

中国专利 :CN1043102C ,1996-08-07

[6]

形成半导体器件内微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

赵诚允 ;

金最东 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN100505152C ,2007-08-08

[7]

在半导体器件中形成自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

郑弘植 ;

李宰求 ;

姜昌珍 ;

郑相燮 ;

郑澈 ;

郑灿旭 .

中国专利 :CN1222753A ,1999-07-14

[8]

具有浅沟槽隔离的半导体器件及其制造方法 [P].

井上健刚 ;

大田裕之 .

中国专利 :CN1665016A ,2005-09-07

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

林艺辉 .

中国专利 :CN105529253A ,2016-04-27

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094136B ,2013-05-08

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