形成半导体器件微细接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95118265.X

申请日：

1995-10-25

公开(公告)号：

CN1043102C

公开(公告)日：

1996-08-07

发明(设计)人：

柳义奎

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2174

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-07-10	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-08-07	公开	公开
2014-12-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101591756161 IPC(主分类):H01L 21/74 专利号:ZL95118265X 申请日:19951025 授权公告日:19990421 终止日期:20131025
1999-04-21	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件接触的方法 [P].

金亨涣 .

中国专利 :CN1290176C ,2005-04-27

[2]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

朴祥均 .

中国专利 :CN1148260A ,1997-04-23

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[4]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[5]

形成半导体器件的字线的方法 [P].

李元畅 .

中国专利 :CN1263116C ,2004-02-18

[6]

半导体器件中接触的形成方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141500A ,1997-01-29

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[8]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

咸泳穆 .

中国专利 :CN1036814C ,1995-09-20

[9]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

李炳锡 ;

郑义三 ;

宋一锡 ;

李海丁 .

中国专利 :CN1154572A ,1997-07-16

[10]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

← 1 2 3 4 5 →