形成半导体器件接触孔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96118975.4

申请日：

1996-12-16

公开(公告)号：

CN1154572A

公开(公告)日：

1997-07-16

发明(设计)人：

李炳锡郑义三宋一锡李海丁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

杨梧

法律状态：

专利申请的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-09-29	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1997-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

朴祥均 .

中国专利 :CN1148260A ,1997-04-23

[2]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1116362A ,1996-02-07

[3]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

咸泳穆 .

中国专利 :CN1036814C ,1995-09-20

[4]

形成半导体器件接触的方法 [P].

金承范 .

中国专利 :CN1649095A ,2005-08-03

[5]

用于形成半导体器件接触孔的方法 [P].

李圣权 .

中国专利 :CN1949473A ,2007-04-18

[6]

半导体器件中接触的形成方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141500A ,1997-01-29

[7]

半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件 [P].

刘智龙 ;

李大烨 ;

金一球 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114628315A ,2022-06-14

[8]

形成半导体器件微细接触的方法 [P].

柳义奎 .

中国专利 :CN1043102C ,1996-08-07

[9]

形成半导体器件的接触孔的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101246845A ,2008-08-20

[10]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

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