形成半导体器件接触孔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94119591.0

申请日：

1994-12-23

公开(公告)号：

CN1036814C

公开(公告)日：

1995-09-20

发明(设计)人：

咸泳穆

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

H01L21027 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-09-20	公开	公开
2015-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101598340899 IPC(主分类):H01L 21/30 专利号:ZL941195910 申请日:19941223 授权公告日:19971224 终止日期:20131223
1996-02-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

朴祥均 .

中国专利 :CN1148260A ,1997-04-23

[2]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1116362A ,1996-02-07

[3]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

李炳锡 ;

郑义三 ;

宋一锡 ;

李海丁 .

中国专利 :CN1154572A ,1997-07-16

[4]

形成半导体器件的接触孔的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101246845A ,2008-08-20

[5]

形成半导体器件接触的方法 [P].

金亨涣 .

中国专利 :CN1290176C ,2005-04-27

[6]

半导体器件中接触的形成方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141500A ,1997-01-29

[7]

半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件 [P].

刘智龙 ;

李大烨 ;

金一球 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114628315A ,2022-06-14

[8]

形成半导体器件微细接触的方法 [P].

柳义奎 .

中国专利 :CN1043102C ,1996-08-07

[9]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[10]

形成半导体器件的接触孔的方法 [P].

李圣权 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 ;

李视英 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102315158A ,2012-01-11

← 1 2 3 4 5 →