在半导体器件中形成自对准接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98125611.2

申请日：

1998-12-18

公开(公告)号：

CN1222753A

公开(公告)日：

1999-07-14

发明(设计)人：

赵昶贤郑弘植李宰求姜昌珍郑相燮郑澈郑灿旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L2130 H01L21306 H01L2131

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-07-14	授权	授权
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013474 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL981256112 申请日:19981218 授权公告日:20040714 终止日期:20131218
1999-07-14	公开	公开

共 50 条

[1]

通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法 [P].

李相晤 .

中国专利 :CN102082117A ,2011-06-01

[2]

半导体器件中的自对准接触结构及其形成方法 [P].

林炳俊 ;

黄有商 .

中国专利 :CN1148788C ,2002-03-06

[3]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[4]

用于形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

布鲁诺·斯普勒 ;

于尔根·威特曼 ;

马丁·古奇 ;

沃尔夫冈·伯格纳 ;

马塞厄斯·伊尔克 .

中国专利 :CN1161829C ,1999-04-21

[5]

形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

李圭现 ;

李宰求 ;

郑相燮 .

中国专利 :CN1107340C ,1999-12-29

[6]

形成半导体器件接触的方法 [P].

金亨涣 .

中国专利 :CN1290176C ,2005-04-27

[7]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[8]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

朴信胜 .

中国专利 :CN1873945A ,2006-12-06

[9]

在半导体器件中制造自对准接触件的方法 [P].

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 ;

赵高毅 .

中国专利 :CN106653847B ,2017-05-10

[10]

在半导体集成电路器件中形成自对准接触结构的方法 [P].

朴钟佑 ;

金允基 ;

朴东建 .

中国专利 :CN1151550C ,2001-10-31

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