通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010195653.1

申请日：

2010-06-09

公开(公告)号：

CN102082117A

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

李相晤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

郭放;黄启行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101368518183 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010101956531 申请日:20100609
2017-07-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101737038908 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2010101956531 申请日:20100609 授权公告日:20150211 终止日期:20160609
2011-06-01	公开	公开
2015-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

郑弘植 ;

李宰求 ;

姜昌珍 ;

郑相燮 ;

郑澈 ;

郑灿旭 .

中国专利 :CN1222753A ,1999-07-14

[2]

半导体器件中的自对准接触结构及其形成方法 [P].

林炳俊 ;

黄有商 .

中国专利 :CN1148788C ,2002-03-06

[3]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[4]

用于形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

布鲁诺·斯普勒 ;

于尔根·威特曼 ;

马丁·古奇 ;

沃尔夫冈·伯格纳 ;

马塞厄斯·伊尔克 .

中国专利 :CN1161829C ,1999-04-21

[5]

形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

李圭现 ;

李宰求 ;

郑相燮 .

中国专利 :CN1107340C ,1999-12-29

[6]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[7]

在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法 [P].

禹亨洙 ;

李圭现 ;

郑泰荣 ;

金奇南 ;

黄有商 .

中国专利 :CN1177353C ,2001-10-31

[8]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

朴信胜 .

中国专利 :CN1873945A ,2006-12-06

[9]

在半导体器件中制造自对准接触件的方法 [P].

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 ;

赵高毅 .

中国专利 :CN106653847B ,2017-05-10

[10]

在半导体集成电路器件中形成自对准接触结构的方法 [P].

朴钟佑 ;

金允基 ;

朴东建 .

中国专利 :CN1151550C ,2001-10-31

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