在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01110990.4

申请日：

2001-03-09

公开(公告)号：

CN1177353C

公开(公告)日：

2001-10-31

发明(设计)人：

禹亨洙李圭现郑泰荣金奇南黄有商

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20010309 授权公告日:20041124
2001-10-31	公开	公开
2001-06-27	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法 [P].

李相晤 .

中国专利 :CN102082117A ,2011-06-01

[2]

在半导体器件中形成自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

郑弘植 ;

李宰求 ;

姜昌珍 ;

郑相燮 ;

郑澈 ;

郑灿旭 .

中国专利 :CN1222753A ,1999-07-14

[3]

用于在CMOS器件中形成自对准双重全硅化栅极的方法 [P].

方隼飞 ;

小希里尔·卡布莱尔 ;

切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ;

克里斯蒂安·拉沃伊 ;

克莱门特·H.·万 .

中国专利 :CN101069282A ,2007-11-07

[4]

到栅极的自对准接触 [P].

马克·博尔 .

中国专利 :CN1324676C ,2004-10-27

[5]

使用化学机械抛光工艺制作自对准接触焊盘的方法 [P].

金镐永 ;

洪昌基 ;

尹普彦 ;

朴俊相 .

中国专利 :CN1941310B ,2007-04-04

[6]

自对准接触窗形成方法 [P].

郑培仁 .

中国专利 :CN1303651C ,2005-01-26

[7]

在替换金属栅极制造工艺中形成电熔断器的方法 [P].

H·K·尤托姆 ;

李影 ;

G·L·利克 .

中国专利 :CN103210481A ,2013-07-17

[8]

在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法 [P].

小希里尔·卡布莱尔 ;

切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ;

约汉·J.·爱丽斯－莫纳甘 ;

方隼飞 ;

克里斯蒂安·拉沃伊 ;

骆志炯 ;

詹姆斯·S.·纳考斯 ;

安·L.·斯廷根 ;

克莱门特·H.·万 .

中国专利 :CN101069281A ,2007-11-07

[9]

用于形成自对准金属硅化物接触的方法 [P].

方隼飞 ;

伦道夫·F·克纳尔 ;

马哈德瓦尔耶·克里施南 ;

克里斯琴·拉沃伊 ;

雷内·T·莫 ;

巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰 ;

杰伊·W·斯特拉尼 .

中国专利 :CN101432860A ,2009-05-13

[10]

形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

赵昶贤 ;

李圭现 ;

李宰求 ;

郑相燮 .

中国专利 :CN1107340C ,1999-12-29

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