自对准接触窗形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03147683.X

申请日：

2003-07-16

公开(公告)号：

CN1303651C

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

郑培仁

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2182

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

潘培坤;楼仙英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	授权	授权
2005-01-26	公开	公开
2020-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20030716 授权公告日:20070307 终止日期:20190716
2005-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成自动对准接触窗方法 [P].

黄水钦 ;

陈建宏 .

中国专利 :CN1632923A ,2005-06-29

[2]

半导体器件中的自对准接触结构及其形成方法 [P].

林炳俊 ;

黄有商 .

中国专利 :CN1148788C ,2002-03-06

[3]

自对准接触方案、半导体结构及其形成方法 [P].

何彩蓉 ;

许光源 ;

郑培仁 .

中国专利 :CN107275281B ,2017-10-20

[4]

自对准沟槽的形成方法 [P].

沃纳·云林 ;

理查德·莱恩 .

中国专利 :CN102150253A ,2011-08-10

[5]

自对准沟槽的形成方法 [P].

沃纳·云林 ;

理查德·莱恩 .

中国专利 :CN103400794B ,2013-11-20

[6]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

[7]

自对准浅槽隔离的形成方法 [P].

张翼英 .

中国专利 :CN104078410B ,2014-10-01

[8]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[9]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102142366A ,2011-08-03

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