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形成自动对准接触窗方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200310124495.0
申请日
:
2003-12-25
公开(公告)号
:
CN1632923A
公开(公告)日
:
2005-06-29
发明(设计)人
:
黄水钦
陈建宏
申请人
:
申请人地址
:
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路3号
IPC主分类号
:
H01L2130
IPC分类号
:
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司
代理人
:
任永武
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-06-29
公开
公开
2005-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-09-05
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[1]
自对准接触窗形成方法
[P].
郑培仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑培仁
.
中国专利
:CN1303651C
,2005-01-26
[2]
形成接触窗的方法
[P].
简荣吾
论文数:
0
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0
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0
简荣吾
;
颜子师
论文数:
0
引用数:
0
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0
颜子师
.
中国专利
:CN1188327A
,1998-07-22
[3]
栅极接触窗的形成方法
[P].
徐鹏富
论文数:
0
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0
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0
徐鹏富
;
蔡明桓
论文数:
0
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0
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蔡明桓
;
彭宝庆
论文数:
0
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0
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0
彭宝庆
;
徐祖望
论文数:
0
引用数:
0
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0
徐祖望
;
邱远鸿
论文数:
0
引用数:
0
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0
邱远鸿
.
中国专利
:CN1231948C
,2004-07-14
[4]
形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置
[P].
邱宏裕
论文数:
0
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0
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0
邱宏裕
;
陈铭祥
论文数:
0
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0
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0
陈铭祥
;
吕文彬
论文数:
0
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0
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0
吕文彬
;
曾铕寪
论文数:
0
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0
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0
曾铕寪
.
中国专利
:CN1630065A
,2005-06-22
[5]
自对准接触孔的形成方法
[P].
郭振强
论文数:
0
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0
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0
郭振强
.
中国专利
:CN108417527B
,2018-08-17
[6]
自对准接触孔的形成方法
[P].
汪彬彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
汪彬彬
;
蒋章
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
蒋章
.
中国专利
:CN118016598A
,2024-05-10
[7]
用于制造自行对准接触窗结构的方法
[P].
许允埈
论文数:
0
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0
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许允埈
.
中国专利
:CN1327490C
,2005-05-04
[8]
在半导体器件中形成自对准接触的方法
[P].
赵昶贤
论文数:
0
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0
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赵昶贤
;
郑弘植
论文数:
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郑弘植
;
李宰求
论文数:
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0
李宰求
;
姜昌珍
论文数:
0
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0
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姜昌珍
;
郑相燮
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郑相燮
;
郑澈
论文数:
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郑澈
;
郑灿旭
论文数:
0
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0
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0
郑灿旭
.
中国专利
:CN1222753A
,1999-07-14
[9]
利用牺牲掩模层形成自对准接触结构的方法
[P].
尹喆柱
论文数:
0
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0
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尹喆柱
;
郑泰荣
论文数:
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郑泰荣
.
中国专利
:CN1574282A
,2005-02-02
[10]
接触孔形成方法
[P].
罗飞
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗飞
.
中国专利
:CN102157435B
,2011-08-17
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