形成接触窗的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97117756.2

申请日：

1997-08-28

公开(公告)号：

CN1188327A

公开(公告)日：

1998-07-22

发明(设计)人：

简荣吾颜子师

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

H01L2128 H01L21768

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

马莹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-09-11	授权	授权
2017-09-26	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101749621595 IPC(主分类):H01L 21/30 专利号:ZL971177562 申请日:19970828 授权公告日:20020911 终止日期:无
1999-12-29	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极接触窗的形成方法 [P].

徐鹏富 ;

蔡明桓 ;

彭宝庆 ;

徐祖望 ;

邱远鸿 .

中国专利 :CN1231948C ,2004-07-14

[2]

形成自动对准接触窗方法 [P].

黄水钦 ;

陈建宏 .

中国专利 :CN1632923A ,2005-06-29

[3]

接触窗的形成方法以及半导体元件 [P].

陈能国 ;

蔡腾群 ;

黄建中 .

中国专利 :CN1979801A ,2007-06-13

[4]

形成多个不同深度接触窗的方法 [P].

刘豪杰 ;

郑湘原 ;

陈碧琳 ;

连万益 .

中国专利 :CN100377316C ,1999-11-17

[5]

自对准接触窗形成方法 [P].

郑培仁 .

中国专利 :CN1303651C ,2005-01-26

[6]

接触孔形成方法 [P].

J·K·朴 ;

P·D·胡斯泰特 .

中国专利 :CN106486348A ,2017-03-08

[7]

一种接触窗的形成方法 [P].

张光瑞 ;

马琳 ;

陆原 .

中国专利 :CN108751123B ,2018-11-06

[8]

接触窗开口的形成方法与半导体元件的制造方法 [P].

黄明山 ;

王炳尧 ;

赖亮全 .

中国专利 :CN1855377A ,2006-11-01

[9]

在表面上形成接触窗开口的方法 [P].

蔡奎昌 ;

赵俊源 ;

萧家顺 .

中国专利 :CN1761040A ,2006-04-19

[10]

形成低电阻接触的方法 [P].

朱振甫 ;

刘文煌 ;

朱俊宜 ;

郑兆祯 ;

郑好钧 ;

樊峰旭 ;

段忠 .

中国专利 :CN101772840A ,2010-07-07

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