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形成自动对准接触窗方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200310124495.0
申请日
:
2003-12-25
公开(公告)号
:
CN1632923A
公开(公告)日
:
2005-06-29
发明(设计)人
:
黄水钦
陈建宏
申请人
:
申请人地址
:
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路3号
IPC主分类号
:
H01L2130
IPC分类号
:
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司
代理人
:
任永武
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-06-29
公开
公开
2005-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-09-05
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[21]
一种在半导体基底上形成自行对准的接触窗结构的方法
[P].
曾鸿辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾鸿辉
.
中国专利
:CN1206706C
,2002-08-21
[22]
在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法
[P].
禹亨洙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
禹亨洙
;
李圭现
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李圭现
;
郑泰荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑泰荣
;
金奇南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金奇南
;
黄有商
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄有商
.
中国专利
:CN1177353C
,2001-10-31
[23]
自对准接触方案、半导体结构及其形成方法
[P].
何彩蓉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何彩蓉
;
许光源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许光源
;
郑培仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑培仁
.
中国专利
:CN107275281B
,2017-10-20
[24]
形成接触孔的方法
[P].
何其旸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何其旸
.
中国专利
:CN101459119B
,2009-06-17
[25]
形成接触孔的方法
[P].
邹立
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邹立
;
罗飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗飞
.
中国专利
:CN102054745A
,2011-05-11
[26]
形成半导体器件微细接触的方法
[P].
柳义奎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柳义奎
.
中国专利
:CN1043102C
,1996-08-07
[27]
同时制造自对准接触窗和局部内连线的方法
[P].
骆统
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
骆统
;
杨令武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨令武
;
陈光钊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈光钊
.
中国专利
:CN101051623A
,2007-10-10
[28]
具有自行对准接触窗的半导体元件及其制造方法
[P].
黄明山
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄明山
;
许汉杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许汉杰
;
姚永中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚永中
.
中国专利
:CN100421218C
,2006-11-01
[29]
在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
[P].
陈怡曦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈怡曦
.
中国专利
:CN1380684A
,2002-11-20
[30]
通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法
[P].
李相晤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李相晤
.
中国专利
:CN102082117A
,2011-06-01
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