形成自动对准接触窗方法

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专利类型
发明
申请号
CN200310124495.0
申请日
2003-12-25
公开(公告)号
CN1632923A
公开(公告)日
2005-06-29
发明(设计)人
黄水钦 陈建宏
申请人
申请人地址
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路3号
IPC主分类号
H01L2130
IPC分类号
代理机构
上海专利商标事务所有限公司
代理人
任永武
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
一种在半导体基底上形成自行对准的接触窗结构的方法 [P]. 
曾鸿辉 .
中国专利 :CN1206706C ,2002-08-21
[22]
在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法 [P]. 
禹亨洙 ;
李圭现 ;
郑泰荣 ;
金奇南 ;
黄有商 .
中国专利 :CN1177353C ,2001-10-31
[23]
自对准接触方案、半导体结构及其形成方法 [P]. 
何彩蓉 ;
许光源 ;
郑培仁 .
中国专利 :CN107275281B ,2017-10-20
[24]
形成接触孔的方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN101459119B ,2009-06-17
[25]
形成接触孔的方法 [P]. 
邹立 ;
罗飞 .
中国专利 :CN102054745A ,2011-05-11
[26]
形成半导体器件微细接触的方法 [P]. 
柳义奎 .
中国专利 :CN1043102C ,1996-08-07
[27]
同时制造自对准接触窗和局部内连线的方法 [P]. 
骆统 ;
杨令武 ;
陈光钊 .
中国专利 :CN101051623A ,2007-10-10
[28]
具有自行对准接触窗的半导体元件及其制造方法 [P]. 
黄明山 ;
许汉杰 ;
姚永中 .
中国专利 :CN100421218C ,2006-11-01
[29]
在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法 [P]. 
陈怡曦 .
中国专利 :CN1380684A ,2002-11-20
[30]
通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法 [P]. 
李相晤 .
中国专利 :CN102082117A ,2011-06-01