在替换金属栅极制造工艺中形成电熔断器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180055002.5

申请日：

2011-08-16

公开(公告)号：

CN103210481A

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

H·K·尤托姆李影 G·L·利克

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

酆迅;张宁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	授权	授权
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171114 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2013-07-17	公开	公开
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171114 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506926990 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011800550025 申请日:20110816
2020-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110816 授权公告日:20160127 终止日期:20190816

共 50 条

[1]

金属栅极的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103107075A ,2013-05-15

[2]

形成高K金属栅极器件的后栅极工艺 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105336592B ,2016-02-17

[3]

制造金属栅极的方法 [P].

吕新亮 ;

赛沙德利·甘古利 ;

阿蒂夫·努里 ;

梅特伊·马哈贾尼 ;

陈世忠 ;

雷雨 ;

傅新宇 ;

唐薇 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 .

中国专利 :CN104254914A ,2014-12-31

[4]

熔断器和形成熔断器的方法 [P].

玛利亚·莉莉·E·罗西奥斯 ;

艾伯特·V·恩里克斯 ;

维克托·奥利弗·L·塔贝尔 ;

戈登·T·迪奇 ;

基翁·梅森·A·布罗萨 .

美国专利 :CN117766355A ,2024-03-26

[5]

熔断器和形成熔断器的方法 [P].

玛利亚·莉莉·E·罗西奥斯 ;

艾伯特·V·恩里克斯 ;

维克托·奥利弗·L·塔贝尔 ;

戈登·T·迪奇 ;

基翁·梅森·A·布罗萨 .

美国专利 :CN111463089B ,2024-07-26

[6]

熔断器和形成熔断器的方法 [P].

玛利亚·莉莉·E·罗西奥斯 ;

艾伯特·V·恩里克斯 ;

维克托·奥利弗·L·塔贝尔 ;

戈登·T·迪奇 ;

基翁·梅森·A·布罗萨 .

中国专利 :CN111463089A ,2020-07-28

[7]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104616990B ,2015-05-13

[8]

金属栅极的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103107073B ,2013-05-15

[9]

金属栅极的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103794482A ,2014-05-14

[10]

金属栅极的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN102543702A ,2012-07-04

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