制造金属栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380021611.8

申请日：

2013-04-19

公开(公告)号：

CN104254914A

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

吕新亮赛沙德利·甘古利阿蒂夫·努里梅特伊·马哈贾尼陈世忠雷雨傅新宇唐薇斯里尼瓦斯·甘迪科塔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	授权	授权
2014-12-31	公开	公开
2015-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607517687 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013800216118 申请日:20130419

共 50 条

[1]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[2]

用于高K金属栅极Vt调制的N/P金属晶体定向结构及制造方法 [P].

林思宏 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN101752377B ,2010-06-23

[3]

金属栅极的制造方法 [P].

李镇全 ;

叶荣鸿 .

中国专利 :CN108766878A ,2018-11-06

[4]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05

[5]

金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN109065445B ,2018-12-21

[6]

半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

益冈有里 ;

黄焕宗 .

中国专利 :CN101685780A ,2010-03-31

[7]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104616990B ,2015-05-13

[8]

具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法 [P].

益冈有里 ;

杨士洪 ;

林秉顺 .

中国专利 :CN101714507A ,2010-05-26

[9]

形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法 [P].

王祥保 .

中国专利 :CN106683999A ,2017-05-17

[10]

金属栅极及其制造方法 [P].

洪奇成 ;

王喻生 ;

苏丁香 ;

苏庆煌 .

中国专利 :CN105810735A ,2016-07-27

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