用于高K金属栅极Vt调制的N/P金属晶体定向结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910252739.0

申请日：

2009-12-09

公开(公告)号：

CN101752377B

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

林思宏杨棋铭陈其贤林进祥

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2949 H01L218238 H01L2128

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

梁永

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	授权	授权
2010-06-23	公开	公开
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004903441 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2009102527390 申请日:20091209

共 50 条

[1]

制造金属栅极的方法 [P].

吕新亮 ;

赛沙德利·甘古利 ;

阿蒂夫·努里 ;

梅特伊·马哈贾尼 ;

陈世忠 ;

雷雨 ;

傅新宇 ;

唐薇 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 .

中国专利 :CN104254914A ,2014-12-31

[2]

用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法 [P].

朱鸣 ;

黄仁安 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103378136A ,2013-10-30

[3]

高K金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN105161408A ,2015-12-16

[4]

高K金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 ;

李润领 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN105185702A ,2015-12-23

[5]

高k金属栅极结构及其制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN103794481A ,2014-05-14

[6]

高K金属栅极半导体晶体管的结构 [P].

尹海洲 ;

朴大奎 ;

O.格鲁申科夫 ;

骆志炯 ;

D.谢皮斯 ;

袁骏 .

中国专利 :CN102456720B ,2012-05-16

[7]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[8]

具有氮化钛栅极的高K/金属栅极CMOS晶体管 [P].

H·尼米 ;

B·K·柯克帕特里克 .

中国专利 :CN105874588B ,2016-08-17

[9]

金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路 [P].

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101707190A ,2010-05-12

[10]

用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法 [P].

林俊铭 ;

吴伟成 ;

钟升镇 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103390649A ,2013-11-13

← 1 2 3 4 5 →