高k金属栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210422214.9

申请日：

2012-10-30

公开(公告)号：

CN103794481A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

李凤莲倪景华韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L29423

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

王莉莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582900876 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012104222149 申请日:20121030
2014-05-14	公开	公开
2016-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

高K金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN105161408A ,2015-12-16

[2]

高K金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 ;

李润领 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN105185702A ,2015-12-23

[3]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN104795437B ,2015-07-22

[4]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

林志雄 ;

张嘉德 ;

徐帆毅 ;

许秉诚 .

中国专利 :CN105789274B ,2016-07-20

[5]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05

[6]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨玉如 ;

李宗颖 ;

林进富 ;

许启茂 .

中国专利 :CN102237270A ,2011-11-09

[7]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105355652B ,2016-02-24

[8]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

光心君 ;

余宗兴 ;

许义明 ;

李俊毅 .

中国专利 :CN105280691B ,2016-01-27

[9]

一种高k/金属栅极结构及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN104241343B ,2014-12-24

[10]

形成高K金属栅极器件的后栅极工艺 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105336592B ,2016-02-17

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