金属栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410803489.6

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN105789274B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

林志雄张嘉德徐帆毅许秉诚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674705251 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014108034896 申请日:20141222
2016-07-20	公开	公开
2019-08-16	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN104795437B ,2015-07-22

[2]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105355652B ,2016-02-24

[3]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

光心君 ;

余宗兴 ;

许义明 ;

李俊毅 .

中国专利 :CN105280691B ,2016-01-27

[4]

金属栅极及其制造方法 [P].

洪奇成 ;

王喻生 ;

苏丁香 ;

苏庆煌 .

中国专利 :CN105810735A ,2016-07-27

[5]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05

[6]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨玉如 ;

李宗颖 ;

林进富 ;

许启茂 .

中国专利 :CN102237270A ,2011-11-09

[7]

栅极结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102655168A ,2012-09-05

[8]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[9]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨宜伟 ;

洪志昌 ;

古淑瑗 ;

陈嘉仁 ;

张铭庆 .

中国专利 :CN109786463A ,2019-05-21

[10]

具有金属栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

程仲良 ;

陈彦羽 ;

陈韦任 ;

李昌盛 ;

张伟 .

中国专利 :CN104733298A ,2015-06-24

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