栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110052271.8

申请日：

2011-03-04

公开(公告)号：

CN102655168A

公开(公告)日：

2012-09-05

发明(设计)人：

钟汇才骆志炯梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21283 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101711284903 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2011100522718 申请公布日:20120905
2012-09-05	公开	公开
2012-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101340109993 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2011100522718 申请日:20110304

共 50 条

[1]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[2]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

林志雄 ;

张嘉德 ;

徐帆毅 ;

许秉诚 .

中国专利 :CN105789274B ,2016-07-20

[3]

栅极堆叠的制造方法和半导体器件 [P].

钟汇才 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102270607A ,2011-12-07

[4]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105355652B ,2016-02-24

[5]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

延·索斯基 ;

米切尔·J·范杜雷 .

中国专利 :CN101467235A ,2009-06-24

[6]

金属碳化物栅极结构和制造方法 [P].

小西里尔·卡布拉尔 ;

克里斯托弗·德塔沃尼尔 ;

拉贾劳·加米 ;

凯瑟琳·L.·萨恩格 .

中国专利 :CN101151724B ,2008-03-26

[7]

栅极结构的制造方法 [P].

罗飞 ;

吴金刚 ;

高大为 ;

高关且 .

中国专利 :CN101123185A ,2008-02-13

[8]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN104795437B ,2015-07-22

[9]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨宜伟 ;

洪志昌 ;

古淑瑗 ;

陈嘉仁 ;

张铭庆 .

中国专利 :CN109786463A ,2019-05-21

[10]

高k金属栅极结构及其制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN103794481A ,2014-05-14

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