金属栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510104089.0

申请日：

2015-03-10

公开(公告)号：

CN105280691B

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

光心君余宗兴许义明李俊毅

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	公开	公开
2018-07-20	授权	授权
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647684532 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2015101040890 申请日:20150310

共 50 条

[1]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN104795437B ,2015-07-22

[2]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

林志雄 ;

张嘉德 ;

徐帆毅 ;

许秉诚 .

中国专利 :CN105789274B ,2016-07-20

[3]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105355652B ,2016-02-24

[4]

金属栅极及其制造方法 [P].

洪奇成 ;

王喻生 ;

苏丁香 ;

苏庆煌 .

中国专利 :CN105810735A ,2016-07-27

[5]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05

[6]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨玉如 ;

李宗颖 ;

林进富 ;

许启茂 .

中国专利 :CN102237270A ,2011-11-09

[7]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨宜伟 ;

洪志昌 ;

古淑瑗 ;

陈嘉仁 ;

张铭庆 .

中国专利 :CN109786463A ,2019-05-21

[8]

具有金属栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

程仲良 ;

陈彦羽 ;

陈韦任 ;

李昌盛 ;

张伟 .

中国专利 :CN104733298A ,2015-06-24

[9]

高k金属栅极结构及其制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN103794481A ,2014-05-14

[10]

金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN109065445B ,2018-12-21

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