高K金属栅极结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510611666.5

申请日：

2015-09-22

公开(公告)号：

CN105185702A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

鲍宇李润领周海锋方精训

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	公开	公开
2019-05-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20151223
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655958294 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015106116665 申请日:20150922

共 50 条

[1]

高K金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN105161408A ,2015-12-16

[2]

高k金属栅极结构及其制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN103794481A ,2014-05-14

[3]

金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN109065445B ,2018-12-21

[4]

形成高K金属栅极器件的方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN103545209A ,2014-01-29

[5]

用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法 [P].

朱鸣 ;

黄仁安 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103378136A ,2013-10-30

[6]

用于高K金属栅极Vt调制的N/P金属晶体定向结构及制造方法 [P].

林思宏 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN101752377B ,2010-06-23

[7]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

何伟硕 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN104795437B ,2015-07-22

[8]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

林志雄 ;

张嘉德 ;

徐帆毅 ;

许秉诚 .

中国专利 :CN105789274B ,2016-07-20

[9]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨玉如 ;

李宗颖 ;

林进富 ;

许启茂 .

中国专利 :CN102237270A ,2011-11-09

[10]

金属栅极结构及其制造方法 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05

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