在半导体器件中形成着落塞接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510076930.6

申请日：

2005-06-09

公开(公告)号：

CN1797738A

公开(公告)日：

2006-07-05

发明(设计)人：

崔益寿黄琩渊李洪求

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨红梅

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101737039651 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2005100769306 申请日:20050609 授权公告日:20090304 终止日期:20160609
2009-03-04	授权	授权
2006-07-05	公开	公开
2006-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[2]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

郑又硕 .

中国专利 :CN100338736C ,2003-10-15

[3]

在半导体器件中形成接触插塞的方法 [P].

朴信胜 .

中国专利 :CN1873945A ,2006-12-06

[4]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

黄昌渊 ;

崔奉浩 ;

金正根 .

中国专利 :CN100514595C ,2005-07-20

[5]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

曹祥薰 ;

李相晤 .

中国专利 :CN101378034A ,2009-03-04

[6]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[7]

形成半导体器件接触塞的方法 [P].

裴大录 ;

朴宣厚 ;

高光万 .

中国专利 :CN1042473C ,1994-08-31

[8]

形成半导体器件接触塞的方法 [P].

崔奉浩 ;

崔益寿 .

中国专利 :CN1707771A ,2005-12-14

[9]

形成半导体器件接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 ;

李元成 .

中国专利 :CN1127123C ,1998-12-30

[10]

在半导体器件中形成存储节点接触塞的方法 [P].

黄昌渊 ;

金亨涣 ;

崔益寿 ;

李海朾 .

中国专利 :CN1976001A ,2007-06-06

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