在半导体器件中形成接触孔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010578450.0

申请日：

2010-12-08

公开(公告)号：

CN102263057A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

李相晤李圣权宣俊劦方钟植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21308 H01L21311

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

郭放;黄启行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101466118066 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010105784500 申请日:20101208
2011-11-30	公开	公开
2015-06-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101716070774 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010105784500 申请公布日:20111130

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

朴赞光 ;

高尧焕 ;

黄圣敏 .

中国专利 :CN1129851A ,1996-08-28

[2]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

黄昌渊 ;

李东德 ;

崔益寿 ;

李洪求 .

中国专利 :CN1885502A ,2006-12-27

[3]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李敏硕 ;

李圣权 .

中国专利 :CN1885503A ,2006-12-27

[4]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

黄昌渊 ;

崔奉浩 ;

金正根 .

中国专利 :CN100514595C ,2005-07-20

[5]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

曹祥薰 ;

李相晤 .

中国专利 :CN101378034A ,2009-03-04

[6]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[7]

形成半导体器件的接触孔的方法 [P].

李圣权 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 ;

李视英 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102315158A ,2012-01-11

[8]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[9]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

朴祥均 .

中国专利 :CN1148260A ,1997-04-23

[10]

形成半导体器件接触孔的方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1116362A ,1996-02-07

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