半导体器件中的接触件结构

被引：0

申请号：

CN202210116580.5

申请日：

2022-02-07

公开(公告)号：

CN114649265A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

林秉顺程仲良赵皇麟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20220207
2022-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

管理半导体器件中的接触结构 [P].

张中 ;

杨永刚 ;

陈阳 ;

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN121128333A ,2025-12-12

[2]

半导体器件的接触件结构 [P].

蔡俊雄 ;

林衍廷 .

中国专利 :CN104681535A ,2015-06-03

[3]

半导体器件中接触孔的制备方法 [P].

陈福成 .

中国专利 :CN101740466B ,2010-06-16

[4]

半导体器件以及包括半导体器件的半导体封装件 [P].

朴基台 ;

宋致完 ;

金善奎 ;

裵贤橠 ;

白承旼 ;

宋龙载 ;

吴俊锡 ;

郑宰旭 ;

洪锡逸 .

韩国专利 :CN118693048A ,2024-09-24

[5]

半导体器件的接触结构 [P].

王菘豊 ;

时定康 ;

林经祥 ;

孙诗平 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103811550A ,2014-05-21

[6]

半导体器件的接触结构 [P].

万幸仁 ;

叶凌彦 ;

施启元 ;

陈彦友 .

中国专利 :CN103579176A ,2014-02-12

[7]

半导体器件中的栅极结构 [P].

赖蓓盈 ;

许家玮 ;

侯承浩 ;

于雄飞 ;

徐志安 .

中国专利 :CN112582345A ,2021-03-30

[8]

半导体器件中的栅极结构 [P].

赖蓓盈 ;

许家玮 ;

侯承浩 ;

于雄飞 ;

徐志安 .

中国专利 :CN112582345B ,2025-05-13

[9]

半导体器件结构 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

M·马德浩克卡 .

中国专利 :CN211045446U ,2020-07-17

[10]

半导体器件结构 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

M·马德浩克卡 .

中国专利 :CN210040208U ,2020-02-07

← 1 2 3 4 5 →