半导体器件的接触件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410706358.6

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN104681535A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

蔡俊雄林衍廷

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	授权	授权
2015-06-03	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615752615 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2014107063586 申请日:20141128

共 50 条

[1]

半导体器件的接触结构 [P].

王菘豊 ;

时定康 ;

林经祥 ;

孙诗平 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103811550A ,2014-05-21

[2]

半导体器件的接触结构 [P].

万幸仁 ;

叶凌彦 ;

施启元 ;

陈彦友 .

中国专利 :CN103579176A ,2014-02-12

[3]

半导体器件中的接触件结构 [P].

林秉顺 ;

程仲良 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN114649265A ,2022-06-21

[4]

用于半导体器件的电接触结构和半导体器件 [P].

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

比约恩·米曼 ;

卡尔·恩格尔 ;

克里斯蒂安·艾兴格 .

中国专利 :CN106415871A ,2017-02-15

[5]

半导体器件的体接触结构 [P].

权五敬 .

中国专利 :CN1160935A ,1997-10-01

[6]

接触结构及半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102339812A ,2012-02-01

[7]

接触结构及半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN1282106B ,2001-01-31

[8]

接触结构及半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101241886B ,2008-08-13

[9]

半导体器件和电接触件 [P].

蒂姆·波特 ;

奥尔里克·舒马赫 ;

简·菲舍尔 .

中国专利 :CN111326571A ,2020-06-23

[10]

半导体器件和电接触件 [P].

蒂姆·波特 ;

奥尔里克·舒马赫 ;

简·菲舍尔 .

:CN118825061A ,2024-10-22

← 1 2 3 4 5 →