接触结构及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110233050.0

申请日：

2000-07-24

公开(公告)号：

CN102339812A

公开(公告)日：

2012-02-01

发明(设计)人：

山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2350

IPC分类号：

G02F113 G02F11362

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

徐予红;朱海煜

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	授权	授权
2012-02-01	公开	公开
2020-08-18	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/50 申请日:20000724 授权公告日:20150520
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101211313616 IPC(主分类):H01L 23/50 专利申请号:2011102330500 申请日:20000724

共 50 条

[1]

接触结构及半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN1282106B ,2001-01-31

[2]

接触结构及半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101241886B ,2008-08-13

[3]

接触结构及半导体器件结构 [P].

金星 .

中国专利 :CN211788963U ,2020-10-27

[4]

半导体结构及半导体器件 [P].

张金 ;

魏洋 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108933171B ,2018-12-04

[5]

半导体器件的接触结构 [P].

王菘豊 ;

时定康 ;

林经祥 ;

孙诗平 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103811550A ,2014-05-21

[6]

半导体器件的接触结构 [P].

万幸仁 ;

叶凌彦 ;

施启元 ;

陈彦友 .

中国专利 :CN103579176A ,2014-02-12

[7]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[8]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

J·罗伊格-吉塔特 ;

P·莫恩斯 ;

P·范米尔贝克 .

中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02

[9]

接触结构、半导体器件及接触结构的制备方法 [P].

于海龙 ;

董信国 ;

孟昭生 ;

赵朵朵 .

中国专利 :CN118471904A ,2024-08-09

[10]

半导体结构、半导体组件及功率半导体器件 [P].

杜江锋 ;

李振超 ;

刘东 ;

白智元 ;

于奇 ;

李述洲 .

中国专利 :CN106129107A ,2016-11-16

← 1 2 3 4 5 →