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接触结构及半导体器件结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201921697573.9
申请日
:
2019-10-11
公开(公告)号
:
CN211788963U
公开(公告)日
:
2020-10-27
发明(设计)人
:
金星
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L21768
IPC分类号
:
H01L27108
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
李鑫
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-27
授权
授权
共 50 条
[1]
接触结构及半导体器件
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN102339812A
,2012-02-01
[2]
接触结构及半导体器件
[P].
山崎舜平
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN1282106B
,2001-01-31
[3]
接触结构及半导体器件
[P].
山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN101241886B
,2008-08-13
[4]
接触结构、半导体器件结构及其制备方法
[P].
金星
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0
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金星
.
中国专利
:CN112652570A
,2021-04-13
[5]
接触结构、半导体器件结构及其制备方法
[P].
金星
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
金星
.
中国专利
:CN112652570B
,2024-12-06
[6]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
A·维拉莫
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A·维拉莫
;
P·范米尔贝克
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P·范米尔贝克
;
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
F·伯格曼
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F·伯格曼
.
中国专利
:CN203690306U
,2014-07-02
[7]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
P·范米尔贝克
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P·范米尔贝克
.
中国专利
:CN203690305U
,2014-07-02
[8]
半导体器件结构
[P].
方绍明
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方绍明
;
李照华
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李照华
;
戴文芳
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戴文芳
.
中国专利
:CN211788995U
,2020-10-27
[9]
半导体结构及半导体器件
[P].
孙正庆
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孙正庆
;
吴公一
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吴公一
.
中国专利
:CN212303666U
,2021-01-05
[10]
半导体器件及其电接触结构
[P].
童宇诚
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童宇诚
;
詹益旺
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詹益旺
;
黄永泰
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黄永泰
;
方晓培
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方晓培
;
吴少一
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吴少一
.
中国专利
:CN210575953U
,2020-05-19
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