接触结构及半导体器件结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201921697573.9
申请日
2019-10-11
公开(公告)号
CN211788963U
公开(公告)日
2020-10-27
发明(设计)人
金星
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L27108
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
李鑫
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
接触结构及半导体器件 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN102339812A ,2012-02-01
[2]
接触结构及半导体器件 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN1282106B ,2001-01-31
[3]
接触结构及半导体器件 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN101241886B ,2008-08-13
[4]
接触结构、半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
金星 .
中国专利 :CN112652570A ,2021-04-13
[5]
接触结构、半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
金星 .
中国专利 :CN112652570B ,2024-12-06
[6]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
P·莫恩斯 ;
A·维拉莫 ;
P·范米尔贝克 ;
J·罗伊格-吉塔特 ;
F·伯格曼 .
中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02
[7]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
J·罗伊格-吉塔特 ;
P·莫恩斯 ;
P·范米尔贝克 .
中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02
[8]
半导体器件结构 [P]. 
方绍明 ;
李照华 ;
戴文芳 .
中国专利 :CN211788995U ,2020-10-27
[9]
半导体结构及半导体器件 [P]. 
孙正庆 ;
吴公一 .
中国专利 :CN212303666U ,2021-01-05
[10]
半导体器件及其电接触结构 [P]. 
童宇诚 ;
詹益旺 ;
黄永泰 ;
方晓培 ;
吴少一 .
中国专利 :CN210575953U ,2020-05-19