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半导体器件及其电接触结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921636158.2
申请日：
2019-09-27
公开(公告)号：
CN210575953U
公开(公告)日：
2020-05-19
发明(设计)人：
童宇诚
詹益旺
黄永泰
方晓培
吴少一
申请人：
申请人地址：
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L2348
H01L21768
H01L218242
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
王宏婧
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-05-19 | 授权 | 授权 |