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半导体器件及其电接触结构、制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910927008.5
申请日
:
2019-09-27
公开(公告)号
:
CN111640748B
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
童宇诚
赖惠先
申请人
:
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址
:
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
:
H10B12/00
IPC分类号
:
H01L23/48
H01L21/768
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
王宏婧
法律状态
:
授权
国省代码
:
福建省 泉州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-04
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件及其电接触结构、制造方法
[P].
童宇诚
论文数:
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童宇诚
;
赖惠先
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赖惠先
.
中国专利
:CN111640748A
,2020-09-08
[2]
半导体器件及其电接触结构与制造方法
[P].
童宇诚
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
童宇诚
;
詹益旺
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
詹益旺
;
黄永泰
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
黄永泰
;
方晓培
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
方晓培
;
吴少一
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
吴少一
.
中国专利
:CN111640747B
,2025-09-12
[3]
半导体器件及其电接触结构与制造方法
[P].
童宇诚
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童宇诚
;
詹益旺
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詹益旺
;
黄永泰
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黄永泰
;
方晓培
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方晓培
;
吴少一
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吴少一
.
中国专利
:CN111640747A
,2020-09-08
[4]
半导体器件及其电接触结构
[P].
童宇诚
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童宇诚
;
詹益旺
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詹益旺
;
黄永泰
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黄永泰
;
方晓培
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方晓培
;
吴少一
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吴少一
.
中国专利
:CN210575953U
,2020-05-19
[5]
半导体器件及其电接触结构
[P].
童宇诚
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童宇诚
;
赖惠先
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赖惠先
.
中国专利
:CN210778604U
,2020-06-16
[6]
半导体器件的接触结构及其制造方法
[P].
金载甲
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金载甲
.
中国专利
:CN1117202A
,1996-02-21
[7]
半导体器件的接触结构及其制造方法
[P].
金俊永
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金俊永
;
崔秉龙
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崔秉龙
;
李银京
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李银京
.
中国专利
:CN100353540C
,2005-04-06
[8]
具有接触结构的半导体器件及其制造方法
[P].
神力博
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神力博
;
山本浩
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山本浩
;
竹安伸行
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竹安伸行
;
小宫隆行
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小宫隆行
;
太田与洋
论文数:
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太田与洋
.
中国专利
:CN1110007A
,1995-10-11
[9]
半导体器件、半导体结构及其制造方法
[P].
辛柏寰
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
辛柏寰
;
邱盈翰
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
邱盈翰
.
中国专利
:CN119069476A
,2024-12-03
[10]
半导体器件、半导体结构及其制造方法
[P].
孙正庆
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
孙正庆
;
金星
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
金星
.
中国专利
:CN114256133B
,2024-09-20
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