半导体器件及其电接触结构、制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910927008.5
申请日
2019-09-27
公开(公告)号
CN111640748B
公开(公告)日
2025-07-04
发明(设计)人
童宇诚 赖惠先
申请人
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
H01L23/48 H01L21/768
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
王宏婧
法律状态
授权
国省代码
福建省 泉州市
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共 50 条
[1]
半导体器件及其电接触结构、制造方法 [P]. 
童宇诚 ;
赖惠先 .
中国专利 :CN111640748A ,2020-09-08
[2]
半导体器件及其电接触结构与制造方法 [P]. 
童宇诚 ;
詹益旺 ;
黄永泰 ;
方晓培 ;
吴少一 .
中国专利 :CN111640747B ,2025-09-12
[3]
半导体器件及其电接触结构与制造方法 [P]. 
童宇诚 ;
詹益旺 ;
黄永泰 ;
方晓培 ;
吴少一 .
中国专利 :CN111640747A ,2020-09-08
[4]
半导体器件及其电接触结构 [P]. 
童宇诚 ;
詹益旺 ;
黄永泰 ;
方晓培 ;
吴少一 .
中国专利 :CN210575953U ,2020-05-19
[5]
半导体器件及其电接触结构 [P]. 
童宇诚 ;
赖惠先 .
中国专利 :CN210778604U ,2020-06-16
[6]
半导体器件的接触结构及其制造方法 [P]. 
金载甲 .
中国专利 :CN1117202A ,1996-02-21
[7]
半导体器件的接触结构及其制造方法 [P]. 
金俊永 ;
崔秉龙 ;
李银京 .
中国专利 :CN100353540C ,2005-04-06
[8]
具有接触结构的半导体器件及其制造方法 [P]. 
神力博 ;
山本浩 ;
竹安伸行 ;
小宫隆行 ;
太田与洋 .
中国专利 :CN1110007A ,1995-10-11
[9]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
辛柏寰 ;
邱盈翰 .
中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03
[10]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
孙正庆 ;
金星 .
中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20