具有接触结构的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94109012.4

申请日：

1994-06-27

公开(公告)号：

CN1110007A

公开(公告)日：

1995-10-11

发明(设计)人：

神力博山本浩竹安伸行小宫隆行太田与洋

申请人：

申请人地址：

日本神户

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

专利申请的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-01-12	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1996-10-16	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1995-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的接触结构及其制造方法 [P].

金俊永 ;

崔秉龙 ;

李银京 .

中国专利 :CN100353540C ,2005-04-06

[2]

半导体器件的接触结构及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1117202A ,1996-02-21

[3]

具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法 [P].

托马斯·格罗斯 ;

赫曼·格鲁贝尔 ;

安德烈亚斯·迈塞尔 ;

马库斯·曾德尔 .

中国专利 :CN103065968A ,2013-04-24

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102800707B ,2012-11-28

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1075246C ,1997-09-24

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭岛匡 .

中国专利 :CN1434510A ,2003-08-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭岛匡 .

中国专利 :CN1652330A ,2005-08-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

嶋田恭博 ;

井上敦雄 ;

有田浩二 ;

那须徹 ;

长野能久 ;

松田明浩 .

中国专利 :CN1076875C ,1996-08-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

濑良田刚 ;

榎本修治 .

中国专利 :CN1848392A ,2006-10-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

江利口浩二 ;

松本晋 .

中国专利 :CN100370623C ,2005-02-02

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