半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03101846.7

申请日：

2003-01-22

公开(公告)号：

CN1434510A

公开(公告)日：

2003-08-06

发明(设计)人：

饭岛匡

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L2131 H01L21768

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20030122 授权公告日:20060913 终止日期:20170122
2003-08-06	公开	公开
2006-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭岛匡 .

中国专利 :CN1652330A ,2005-08-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

仓嶋延行 ;

南幅学 ;

福岛大 ;

竖山佳邦 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1292477C ,2004-03-24

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

南幅学 ;

福岛大 ;

竖山佳邦 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1487585A ,2004-04-07

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

大见忠弘 ;

寺本章伸 ;

若松秀利 ;

小林保男 .

中国专利 :CN1768431A ,2006-05-03

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

秋山和隆 .

中国专利 :CN100338743C ,2004-10-06

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 ;

西田征男 ;

林岳 ;

山本芳树 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN102612736A ,2012-07-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

铃木贵志 ;

小泽清 .

中国专利 :CN101238570A ,2008-08-06

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

铃村直仁 ;

冈好浩 .

中国专利 :CN103515221B ,2014-01-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡部平司 ;

渡辺启仁 ;

辰巳徹 ;

藤芝信次 .

中国专利 :CN100565916C ,2005-09-14

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井胜一 ;

森本升 ;

西冈康隆 ;

泉谷淳子 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03

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