半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200480009209.9
申请日
2004-03-31
公开(公告)号
CN1768431A
公开(公告)日
2006-05-03
发明(设计)人
大见忠弘 寺本章伸 若松秀利 小林保男
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L21318
代理机构
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人
柳春雷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松尾浩司 .
中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松木武雄 .
中国专利 :CN102208347A ,2011-10-05
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
仓嶋延行 ;
南幅学 ;
福岛大 ;
竖山佳邦 ;
矢野博之 .
中国专利 :CN1292477C ,2004-03-24
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
杉祥夫 ;
永冈达司 ;
鲁鸿飞 .
中国专利 :CN101236991B ,2008-08-06
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
南幅学 ;
福岛大 ;
竖山佳邦 ;
矢野博之 .
中国专利 :CN1487585A ,2004-04-07
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
井上真雄 .
中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
饭岛匡 .
中国专利 :CN1434510A ,2003-08-06
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
饭岛匡 .
中国专利 :CN1652330A ,2005-08-10
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
迫田恒久 ;
山口正臣 ;
南方浩志 ;
杉田义博 ;
池田和人 .
中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
坂田淳一郎 ;
及川欣聪 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN102668097B ,2012-09-12