半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03148279.1

申请日：

2003-07-01

公开(公告)号：

CN1487585A

公开(公告)日：

2004-04-07

发明(设计)人：

南幅学福岛大竖山佳邦矢野博之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L21768 H01L2131 H01L213205 H01L21321

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-04-07	公开	公开
2006-01-18	授权	授权
2018-07-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/52 申请日:20030701 授权公告日:20060118 终止日期:20170701
2004-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

川下道宏 ;

吉村保广 ;

田中直敬 ;

内藤孝洋 ;

赤沢隆 .

中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN103094345A ,2013-05-08

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

置田阳一 .

中国专利 :CN101044605A ,2007-09-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐佐木弘次 .

中国专利 :CN103094330B ,2013-05-08

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

真篠直寛 .

中国专利 :CN1320620C ,2004-01-21

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉村铁夫 ;

渡边健一 ;

大塚敏志 .

中国专利 :CN101636834B ,2010-01-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

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